000    nam0
001 __ 011128207
005 __ 20210416094510.0
010 __ ■a978-7-111-66953-1■dCNY89.00
100 __ ■a20210416d2021    em y0chiy50      ea
101 1_ ■achi■cjpn
102 __ ■aCN■b110000
105 __ ■aab  z   000yy
106 __ ■ar
200 1_ ■aSiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术■9SiC/GaN gong lv ban dao ti feng zhuang he ke kao xing ping gu ji shu■f(日)菅沼克昭编著■g何钧，许恒宇译
210 __ ■a北京■c机械工业出版社■d2021
215 __ ■a12,195页■c图，照片，地图■d24cm
225 1_ ■a新型电力电子器件丛书
330 __ ■a本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。
461 _0 ■12001 ■a新型电力电子器件丛书
606 0_ ■a功率半导体器件■x封装工艺■x可靠性估计
690 __ ■aTN305.94■v5
701 _0 ■c(日)■a菅沼克昭■9jian zhao ke zhao■4编著
702 _0 ■a何钧■9he jun■c(文学)■4译
702 _0 ■a许恒宇■9xu heng yu■4译
801 _0 ■aCN■bCNMARC■c20210417
905 __ ■aTSG■b513332LW035021■b513332LW035022■b513332LW035023■b513332LW035024■b513332LW035025■dTN305.94■e4346■f5
906 __ ■b513332LW035021■b513332LW035022■b513332LW035023■b513332LW035024■b513332LW035025■d89.00